大容量可控硅在实际应用中如何测量

       *近修复了一台同步机的励磁部分，可控硅参数是1600V 800A，其他的看不清楚了。直流电压正常，但是励磁电流为正常值的三分之一，机组负载加不上去。上述我办法采用了，测量都是35M欧效果不明显，*后我采用版主说的使用自制电路测量，首先测量运行时三相电流分别是，100A，150A，200A。设备额定电流300A，直流电压正常，但是励磁电流为正常值的三分之一，机组负载加不上去。

       根据电流判断A相可控硅导流能力下降，自制电流时使用3节1号电池串联，正极接门极，负极接阴极，使用万用表测量阳极和阴极之间的导通状况，测得A相门极加电时和不加电时 相同为35M欧。B相门极加电时为16K欧，不加电时 为35M欧。C相门极加电时为10K欧和不加电时为35M欧。这时判断A相可控硅损坏，更换后设备运行正常。
  
       我想对于大型电力可控硅，常规的测试办法可以使用，但是对于状态较差的可控硅，就不是那么好测量的了，由于备件少只有两个所以我只能检测坏掉的那个更换，其实稳妥的办法是整组的更换。